IGBT বনাম MOSFET
MOSFET (মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) এবং IGBT (ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) হল দুই ধরনের ট্রানজিস্টর, এবং উভয়ই গেট চালিত বিভাগের অন্তর্গত। উভয় ডিভাইসেই বিভিন্ন ধরনের সেমিকন্ডাক্টর স্তর সহ একই রকম দেখতে কাঠামো রয়েছে৷
মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET)
MOSFET হল এক ধরনের ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (FET), যা তিনটি টার্মিনাল দিয়ে তৈরি যা 'গেট', 'উৎস' এবং 'ড্রেন' নামে পরিচিত। এখানে, ড্রেন কারেন্ট গেট ভোল্টেজ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। অতএব, MOSFET হল ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস।
MOSFETগুলি চারটি ভিন্ন প্রকারে পাওয়া যায়, যেমন n চ্যানেল বা p চ্যানেল, হয় হ্রাস বা বর্ধিতকরণ মোডে। ড্রেন এবং সোর্স n চ্যানেল MOSFET-এর জন্য n টাইপ সেমিকন্ডাক্টর দিয়ে তৈরি, এবং একইভাবে পি চ্যানেল ডিভাইসগুলির জন্য। গেট ধাতু দিয়ে তৈরি, এবং একটি ধাতব অক্সাইড ব্যবহার করে উৎস এবং ড্রেন থেকে পৃথক করা হয়। এই নিরোধক কম শক্তি খরচ ঘটায়, এবং এটি MOSFET-এ একটি সুবিধা। তাই, MOSFET ডিজিটাল CMOS লজিকে ব্যবহৃত হয়, যেখানে p- এবং n-চ্যানেল MOSFET গুলিকে বিদ্যুত খরচ কমানোর জন্য বিল্ডিং ব্লক হিসাবে ব্যবহার করা হয়৷
যদিও MOSFET-এর ধারণাটি খুব প্রথম দিকে প্রস্তাব করা হয়েছিল (1925 সালে), এটি ব্যবহারিকভাবে 1959 সালে বেল ল্যাবগুলিতে প্রয়োগ করা হয়েছিল৷
ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT)
IGBT হল একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যার তিনটি টার্মিনাল 'ইমিটার', 'সংগ্রাহক' এবং 'গেট' নামে পরিচিত। এটি এক ধরনের ট্রানজিস্টর, যা উচ্চ পরিমাণ শক্তি পরিচালনা করতে পারে এবং উচ্চতর সুইচিং গতি এটিকে উচ্চ দক্ষ করে তোলে। 1980-এর দশকে বাজারে আইজিবিটি চালু হয়েছিল৷
IGBT-এ MOSFET এবং বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (BJT) উভয়েরই সম্মিলিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে। এটি MOSFET-এর মতো গেট চালিত, এবং BJT-এর মতো বর্তমান ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য রয়েছে। অতএব, এটির উচ্চ বর্তমান হ্যান্ডলিং ক্ষমতা এবং নিয়ন্ত্রণের সহজতা উভয়ের সুবিধা রয়েছে। IGBT মডিউল (বেশ কয়েকটি ডিভাইস নিয়ে গঠিত) কিলোওয়াট শক্তি পরিচালনা করতে পারে।
IGBT এবং MOSFET এর মধ্যে পার্থক্য
1. যদিও IGBT এবং MOSFET উভয়ই ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস, IGBT-এর একটি BJT এর মত পরিবাহী বৈশিষ্ট্য রয়েছে।
2. IGBT-এর টার্মিনালগুলি ইমিটার, কালেক্টর এবং গেট হিসাবে পরিচিত, যেখানে MOSFET গেট, উৎস এবং ড্রেন দিয়ে তৈরি৷
৩. MOSFETS এর চেয়ে IGBTগুলি পাওয়ার হ্যান্ডলিংয়ে ভাল
৪. IGBT-এর PN জংশন আছে, এবং MOSFET-এর সেগুলি নেই৷
৫. MOSFET এর তুলনায় IGBT-এর কম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ হয়েছে
৬. IGBT এর তুলনায় MOSFET এর দীর্ঘ ইতিহাস রয়েছে
